IGCT 5SHY4045L0001  ABB  可控硅

IGCT 5SHY4045L0001  ABB  可控硅

5SHY4045L0001可控硅IGCT板卡5SHX2645L0002可控硅IGCT板卡ABB逆变模块高压耐用

IGCT是GCT(门极换流晶闸管)和集成门极驱动电路的合称，其具有GTO高阻断能力和低通态压降，以及和IGBT相同的开关性能，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，广泛应用于大功率中压变流器。基本工作原理如下：

5SHY4045L0001可控硅IGCT板卡5SHX2645L0002当IGCT工作在导通状态时，是一个像晶闸管一样的正反馈开关，其特点是携带电流能力强和通态压降低。在关断状态下，IGCT门--阴极间的pn结提前进入反向偏置，并有效地退出工作，整个器件呈晶体管方式工作，该器件在这两种状态下的等效电路图，所示IGCT关断时，通过打开一个与阴极串联的开关(通常是MOSFET)，使P基极n发射极反偏，从而迅速阻止阴极注入，将整体的阳极电流强制转化成门极电流(通常在lµs内)，这样便把GTO转化成为一个无接触基区的PNP晶体管，消除了阴极发射极子收缩效应。这样，它的最大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多。5SHY4045L0001可控硅IGCT板卡5SHX2645L0002由于IGCT在增益接近1时关断，因此，保护性的吸收电路可以省去。由于IGCT内部是在基极开路的状态下以晶体管模式对阳极电流进行关断，可以避免出现所谓的“GTO”状态，关断过程中允许更高的阳极电压上升率，而且关断动作非常可靠因此IGCT兼有晶闸管的低通态压降和高阻断电压，以及晶体管稳定的关断特性，是一种比较理想的大功率半导体开关器件。由于门极驱动电路必须在关断过程中迅速转移所有的阳电流。因此，IGCT设计必须采用电感相当低的门极驱动电路。实际中可根据器件要求采用多层布线印刷线路板。

综上可知IGCT具有以下特点：IGCT环流关断时间时间可降至lµs以内，这为实现简单耐用的高压串联打下基础；由于IGCT能非常均匀的工作，因此可显著减少或忽略吸收电路及逆变器的损耗；由于门极关断电荷较低，可显著降低门极驱动功率。

5SHY4045L0001 5SHX2645L0002 5SHX0445D0001 5SHX0360D0001 5SHX0845F0001 5SHX0660F0001 5SHX1445H0002 5SHX1060H0002 5SHX2645L0001 5SHX1960L0001 5SHX1960L0004 5SHX1445H0001 5SHX0860H0001 5SHX1060H0001 5SHY3545L0002 5SHX06F6010 5SHX08F4510 5SHX10H6010 5SHX14H4510 5SHX19L6010 5SHX19L6020 5SHX26L4510 5SHY35L4510 5SHY35L4512 5SHY40L4511 5SHY42L6500 5SHY55L4500 5SHX0360D0001 5SHX0660F0002 5SHX1060H0003 UNS4023A-E VAR 633 5STP16F2400 5SHX0445D0001