GFD563A1013BHE046836R0101 ABB 电力半导体器件

GFD563A1013BHE046836R0101 ABB 电力半导体器件

IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结

构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术

的新型大功率半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,因而使动态损耗降低了约

50%,另外,此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流_ _极

管,从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合.

IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。电力半导体器件是进行电力变换和控制的大功率器件。可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主要用于整流器、逆变器、斩波器、交流调压器等方面，广泛用于工农业生产、国防、交通等各个领域。各种电力半导体器件的额定电流,都是以平均电流表示的IGCT是一种基于GTO结构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术

的新型大功率半导体开关器件，具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术，因而使动态损耗降低了约50％，另外，此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二极

ABB SPHSS13

ABB MPRC086444-005

ABB PPD113B01-10-150000

ABB PM866K01

ABB PFTL 101B 2.0KN

ABB PP865A

ABB 3HAC029818-001/10 DSQC663

ABB 3HAC029818-001 DSQC663

ABB KUC755AE105

ABB PM866AK01

ABB KUC755AE117

ABB PFSK151

ABB 3BHB005243R0105

ABB 800PP846A

ABB PP846

ABB PFTL101A 0.5KN

ABB PFTL101A 1.0KN

ABB PM511V08

ABB PP846A

ABB 3BSE004160R1 PFTL101A

ABB 5SHY3545L0020

ABB 3HNA024871-001

ABB 5SHY5045L0020

ABB EL3020

ABB 408368B IAM MODULE

ABB PP877K

ABB PM150V08

ABB XVC517AE02 3BHB004744R0002

ABB 5SHX0660F0002

ABB 07AC91

ABB 5SHY3545L0009

ABB 3BSE018161R1

ABB HIEE300024R4 UAA326A04

ABB DSAI130D

ABB 216VC62A

ABB LDGRB-01 3BSE013177R1

ABB GFD233A101

ABB 5SHX1060H0003

ABB DSDP160 57160001-KG