ABB 5SHY3545L0016 3BHB020720R0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101可控硅

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电压控制能力：可控硅是一种电子器件，可以通过控制电压来调整电流的流动。其主要特点之一是具有电压控制能力，可以实现电流的精确控制。

电流承载能力：可控硅通常能够承受相当大的电流，适用于高功率电路和设备的控制。

开关速度：可控硅的开关速度可能不如其他半导体器件，但对于一些需要精确控制的高功率应用，这可能不是主要关注点。

封装类型：可控硅通常以不同的封装类型提供，以适应不同的应用场景。常见的封装类型包括TO-220、TO-247等。

热稳定性：由于可控硅在高电流下会产生热量，其热稳定性是一个重要的考虑因素。一些型号可能具有内置的保护机制，以防止过热。

应用范围：可控硅常用于交流电源控制、调光器、电动机控制等高功率应用。

触发方式：可控硅需要一个触发信号来打开，通常使用一个触发脉冲来控制电流的流动。

电气隔离：一些型号的可控硅可能具有电气隔离功能，以确保在高电压环境中的安全操作。

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IGCT在整流环节中与SCR一脉相承，SCR是Silicon Controlled Rectifier的缩写，是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件，与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。可控硅在维持电流以上一直处于开通状态，关断电流高，控制困难，关断速度较慢。逆变环节中，在LCI（负载换相逆变器）中SCR具有优异表现，可做到超大功率，电压高、电流也大。二极管（Diode，不可控整流器件）和SCR（半可控）整流均不需要PMW即可满足两象限变频器工作，PWM需要用IGBT（全控）等器件。

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