5SHY3545L0009 ABB 模块

5SHY3545L0009 IGBT模块替您省钱货期火速

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输

入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快，但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,

驱动功率小而饱和压降低。1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为-一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候,硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT

(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米先进到3微米。

ADLINK cPCI-6910AM/M1G BOARD cPCI 6910

SSE C-BAND POWER AMP 305-04043B-010L 10 WATT

Foundry BigIron 4000 B4000 W/ 4 modules switch

LINCOLN LASER COMPANY M225-030-XLOB6.5 NEW

AUDIOCODES TP-1610 cPCI VoIP communication blade

ANRITSU MS8604A DEFECTIVE FOR SPARE PARTS

SSE TECHNOLOGIES C-BAND POWER DRIVER 305-040061-51

SSE TECHNOLOGIES M9.0 POWER SUPPLY 305-040078-220

GALAXIS RIVER SCAN R2.9H/S5.7 SPACE SCANNER ACU

MECS CORPORATION ROBOT AL100

ERICSSON 2100 RU21 2130 KRC 118 16/1 CELLULAR MODULE

ERICSSON 2100 FU12 21 KRC 118 17/1 CELLULAR MODULE R2B

DATAKINETICS SPCI4/0E SS7 4 PORTS SEPTEL PCI CARD SPCI4

Performance Technologies CPC4411F CompactPCI Blade