5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101  ABB  工业IGCT模块

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5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101集成栅极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功率半导体开关器件，具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术，因而使动态损耗降低了约50％，另外，此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二极管，从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合.IGCT触发功率小，可以把触发及状态监视电路和IGCT管芯做成一个整体，5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101通过两根光纤输入触发信号、输出工作状态信号。IGCT将GTO技术与现代功率晶体管IGBT的优点集于一身，利用大功率关断器件可简单可靠地串联这一关键技术，使得IGCT在中高压领域以及功率在0.5MVA～100MVA的大功率应用领域尚无真正的对手。IGCT损耗低、开关快速等这些优点保证了它能可靠、高效率地用于300 kVA～10MVA变流器，而不需要串联或并联。在串联时，逆变器功率可扩展到100MVA。虽然高功率的IGBT模块具有一些优良的特性，5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101如能实现di/dt和dv/dt的有源控制、有源箝位、易于实现短路电流保护和有源保护等。但因存在着导通高损耗、损坏后造成开路以及无长期可靠运行数据等缺点，限制了高功率IGBT模块在高功率低频变流器中的实际应用。因此IGCT将成为高功率高电压变频器的首选功率器件。

可控硅5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101

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