(10～20)GHz低附加相移数控衰减器设计

基于GaAs 0.25 μ m pHEMT工艺，设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成，衰减范围为（0～31.5）dB，步进为0.5 dB。在（10～20）...