垂直GaN JFET的动态性能

美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直氮化镓（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究人员研究了额定电压高达1200V（1.2...