onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驱动IC 应用于工业马达控制器

1.方案介绍:

NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器，专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端（IN+ 和 IN-）、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系统设计及开发。 NCD57000 可在输入侧提供 5 V 和 3.3 V 信号，并在驱动侧提供较宽的偏置电压范围，方便线路应用与设计。并且在驱动侧也考虑了因开关作动下可能产生的负电压问题，考虑到了NCD57000在承受负电压之能力。NCD57000 拥有内部的电流隔离，其隔离能力为> 5 kVrms，（UL1577 等级）和> 1200 VIORM（工作电压）能力。NCD57000考虑应用在开关切换应用，拥有很低的传播延迟能力，最大延迟90 ns和最小的小脉冲失真 25 ns，并拥有很高的共模瞬变抗扰度 (CMTI) ，提高了对杂讯的抗干扰能力，在 VCM = 1500 V 条件下至少可以承受 100kV/us（最小值） 目前NCD57000 采用宽体 SOIC-16 封装，可保证输入和输出之间的爬电距离为 8 mm，以满足增强的安全绝缘要求。

2.方块图:

3.电路图:

4.测试数据:

延迟时间量测:

NCD57000应用在开关切换有很低的传播延迟能力。波型量测下可以看到延迟仅约0.05uS。

(IN+:输入讯号;VG: NCD57000驱动讯号;Ig:驱动电流)

驱动电压基准电位:

NCD57000驱动电压的基准电位稳定且不太受环境温度影响，不论驱动(source)或关断(Sink)基准电位应用在大范围的温度变化，仍可保持在一个稳定区间，可使线路设计稳定，时实际应用也会较方便.

5.方案规格:

►场景应用图

►展示板照片

►方案方块图

►核心技术优势

• 高电流驱动能力 (+4/−6 A) .

• DESAT 的高负电压能力（−9 V）.

• IGBT 短路期间的软关断功能.

• IGBT短路期间的栅极箝位功能.

• 5 kV电流隔离能力(UL1577).

• 1200V高工作电压(VDE0884−11)

• 通过AEC-Q100认证.

• 可更换负载电容器和栅极电阻器

• 使用外部电源的自定义电压电平

►方案规格

• 输入电压 (VDD1):6V

•输入电压(VDD2):25V

•负压承受能力:-0.3V

•驱动电流:4A

•关断电流:6A

•电流隔离能力:5KV

•抗静电能力:2KV

•功耗:1400mW