Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

中国 北京，2024 年1 月30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo^®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L封装中实现业界卓越的 9mΩ导通电阻 R_DS(on)。此款 750V SiC FET作为 Qorvo全新引脚兼容 SiC FET系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数（PTC）加热器模块等电动汽车（EV）类应用。

UJ4SC075009B7S在 25°C时的典型导通电阻值为 9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低客户的制造成本。全新的 750V系列产品是对 Qorvo现有的 1200V和 1700VD2PAK封装车用 SiC FET的补充，打造了完整的产品组合，可满足 400V和 800V电池架构电动汽车的应用需求。

Qorvo电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan表示：“这一全新 SiC FET系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”

这些第四代 SiC FET采用 Qorvo独特的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET与硅基 MOSFET合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET简单栅极驱动的器件。SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构／JFET方式带来了更低的传导损耗。

UJ4SC075009B7S 的主要特性包括：

l阈值电压 V_G(th)：4.5V（典型值），允许 0至 15V驱动电压

l较低的体二极管 V_FSD：1.1V

l最高工作温度：175°C

l出色的反向恢复能力：Q_rr＝338nC

l低栅极电荷：Q_G＝75nC

l通过汽车电子委员会 AEC-Q101认证