2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。

产品型号：

▪️IMYH200R012M1H

▪️IMYH200R024M1H

▪️IMYH200R050M1H

▪️IMYH200R075M1H

▪️IMYH200R0100M1H

产品特点

■ V_DSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统

■ 开关损耗极低

■ 创新的HCC封装

■ 针脚间爬电距离为14毫米

■ 5.4毫米电气间隙

■ 栅极阈值电压，V_GS(th)=4.5V

■ 用于硬换流的坚固体二极管

■ .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

■ 高耐湿性

应用价值

■ 市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V

■ 1500V的DC的变流器可以用两电平实现

■ 与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量

■ 创新的TO-247封装，具有高爬电距离和间隙

应用领域

■ 光伏逆变器

■ 储能系统

■ 电动汽车充电