英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™MOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。

CoolSiC™MOSFET 2000 V产品系列适用于最高1500 VDC的高直流母线系统。与1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。

采用TO247-4-4封装的2000 V CoolSiC™ MOSFET

除了2000 V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于2024年第三季度推出采用TO-247PLUS 4引脚封装的2000 V二极管产品组合，随后将于2024年第四季度推出采用TO-247-2封装的2000 V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。

供货情况

CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列现已上市。另外，英飞凌还提供相应的评估板EVAL-COOLSIC™-2KVHCC。开发者可以将该评估板作为一个精确的通用测试平台，通过双脉冲或连续PWM操作来评估所有CoolSiC™ MOSFET和2000 V二极管以及EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx产品系列。