英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用Thin-TOLL 8x8和TOLT封装的两个全新产品系列，扩展其CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™第2代（G2）技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中高档开关模式电源（SMPS），如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。

该系列的Thin-TOLL封装外形尺寸为8x8 mm，具有市场上同类产品中领先的板上热循环（TCoB）能力。TOLT封装是一种顶部散热（TSC）封装，其外形尺寸与TOLL相似。这两种封装都能为开发者带来诸多优势。例如，在AI和服务器电源装置（PSU）中采用这两种封装，可以减少子卡的厚度和长度并允许使用扁平散热器。微型逆变器、5G PSU、电视PSU和SMPS通常采用对流冷却，Thin-TOLL 8x8封装用于这些应用时，可以更大程度地减少主板上电源装置所占的PCB面积。与此同时，TOLT还能控制设备的结温。此外，TOLT器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ 750 V这一顶部散热CoolSiC™工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的PCB面积。

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2组合1-1

供货情况

采用ThinTOLL 8x8和TOLT封装的650 V G2 CoolSiC™ MOSFET目前的RDS(on)为20、40、50和60 mΩ。TOLT系列还推出了RDS(on)为15 mΩ的型号。到2024年底，该产品系列将推出更多型号。