Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench...
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据麦姆斯咨询报道，使用雷达传感器监测生命体征的研究已经进行了几十年。该技术能够对心跳和呼吸频率进行持续的非接触式监测，并具有低功耗和小PCB尺寸的优势。凭借创新的60 GHz雷达传感器，其在消费电子产...
阅读量：3352023
随着汽车功能的丰富，USB2.0/3.0、电源输入口、按键、SD卡槽等被广泛应用。由于以下几点，ESD、突入电流、抛负载以及负载短路等成为了硬件设计人员关注要点。例如，干燥季节，静电通过这些接口破坏I...
阅读量：1862023
USB-C已被消费电子行业广泛采用为首选连接器，有望取代大多数高达 240 W 的传统电源适配器。随着全球过渡到采用基于 USB-C 的直流电源，快速充电协议日渐普及，电源的功能性和用户体验也得到进一...
阅读量：1862023
尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并...
阅读量：2132023
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